Samsung începe producția în masă a cipurilor GAA pe 3nm cu o eficiență energetică crescută cu până la 45% și performanțe cu 23% mai mari
Samsung câștigă un avans față de TSMC și a anunțat producția în masă de cipuri GAA pe 3nm, aducând o serie de beneficii pentru diverse aplicații și produse. Potrivit producătorului coreean, tehnologia GAA depășește limitele FinFET și are în plan să extindă producția pentru SoC-uri pentru smartphone-uri.
Dr. Siyoung Choi, președinte și șef al Foundry Business la Samsung Electronics, este mândru să anunțe noua arhitectură cu următoarea declarație.
„Samsung a crescut rapid pe măsură ce continuăm să demonstrăm că suntem lideri în aplicarea tehnologiilor de ultimă generație în producție, cum ar fi prima poartă metalică High-K, FinFET, precum și EUV. Căutăm să continuăm această poziție de lider cu primul proces de 3nm din lume cu MBCFET™. Vom continua să inovăm activ în dezvoltarea de tehnologii competitive și să construim procese care să contribuie la accelerarea atingerii maturității tehnologiei.”
Samsung a folosit o metodă diferită pentru a produce în masă cipuri GAA de 3 nm, care implică utilizarea unei tehnologii brevetate și a unor nanofolii cu canale mai largi. Această abordare permite o performanță mai mare și o eficiență energetică îmbunătățită decât tehnologiile GAA care utilizează nanofire cu canale mai înguste. GAA a optimizat flexibilitatea de proiectare, permițând Samsung să aducă beneficii PPA (Power, Performance, and Area).
În comparație cu procesul de 5 nm, Samsung susține că tehnologia GAA pe 3 nm poate reduce consumul de energie cu până la 45%, îmbunătățește performanța cu 23% și reduce suprafața cu 16%. În mod interesant, Samsung nu a menționat diferențele de îmbunătățiri în comparație cu procesul său de 4nm, deși comunicatul de presă spune că se lucrează la un proces de fabricație GAA de 3nm de a doua generație.
Acest proces de a doua generație va permite reducerea consumului de energie cu până la 50%, creșterea performanței cu 30% și reducerea suprafeței cu 35%. Samsung nu a comentat cu privire la procentul de randament al GAA pe 3nm, dar conform celor relatate anterior, lucrurile nu s-au îmbunătățit, ci dimpotrivă, au luat-o razna. Aparent, rata de randament este între 10 și 20 la sută, în timp ce la 4nm Samsung se situa la 35 la sută.
Se spune că Qualcomm a făcut rezervări pentru nodul GAA de 3 nm al Samsung, în cazul în care TSMC se confruntă cu propriile probleme de producție pentru procesul său de 3 nm. Producătorul coreean va oferi probabil teste personale ale tehnologiei sale de ultimă generație celor de la Qualcomm și, dacă aceștia din urmă sunt mulțumiți, am putea vedea cum comenzile vor trece de la TSMC la Samsung pentru viitoarele chipseturi Snapdragon.
În ceea ce privește TSMC, se așteaptă ca aceasta să înceapă producția în masă de cipuri pe 3nm în cursul acestui an, Apple urmând probabil să beneficieze de un tratament preferențial pentru viitoarele sale SoC-uri M2 Pro și M2 Max destinate unei game largi de Mac-uri. Să sperăm că Samsung și-ar fi îmbunătățit semnificativ propria iterație pentru a reaprinde vechile parteneriate.