LLW promite să aducă AI pe telefoane prin memorie cu design integrat
În centrul zvonurilor despre telefoane apare ideea unei memorii numite Low Latency Wide DRAM, LLW, concepută ca o versiune cu design integrat asemănător cu HBM. Scopul este să crească lățimea de bandă a memoriei și să funcționeze la temperaturi mai rezonabile. Zvonurile spun că Xiaomi și Huawei ar putea să integreze LLW în a doua jumătate a anului 2027.
Spațiul mic din interiorul telefoanelor și problema termică fac dificilă adoptarea adevăratei HBM. LLW promite un design compact, capabil să scoată mai mult din memorie fără a aprinde ventilatorul unui laptop. În plus, se spune că acest tip de memorie ar putea oferi aproximativ 1, 5 ori performanța și ar consuma cu aproximativ jumătate mai puțină energie, deși nu este clar față de ce standard este comparat.
Conform zvonurilor, nu este clar dacă 2026 va aduce ritmuri mai mari pentru memoria din telefoane, iar 2027 ar putea aduce progrese mai mari. Scopul rămâne acela de a sprijini AI-ul pe dispozitiv, astfel încât telefoanele să poată răspunde mai rapid la fotografii inteligente, recunoaștere și alte aplicații AI direct pe telefon, fără a trimite date în cloud.
Huawei a fost menționat ca ar lucra la un tip de memorie asemănător HBM pentru telefoane, iar Apple ar fi luat în calcul să aducă această tehnologie în viitorul iPhone 20. Samsung pare să fie mai ales interesat să o lanseze prin ambalaje complexe, în timp ce Qualcomm se pare că ar lucra cu producători de memorie din China pentru a integra 3D DRAM în NPUs. Toate aceste idei rămân zvonuri; realitatea depinde de multe detalii tehnice.
Rămânem conectați la evoluții. Ideea LLW arată cum memoriile ar putea ajuta AI-ul pe telefoane, dar nu există confirmări ferme despre lansare sau performanțe exacte. Momentan, această direcție ar putea schimba modul în care telefoanele înțeleg pozele, jocurile și sarcinile zilnice.
